تأثير التشعيع بالنترونات على الخصائص الكهربائية لترانزستورات الموسفت

الملخص

جرى في هذا البحث دراسة تأثير الإشعاع النتروني على عينات متماثلة من ترانزستور موسفت بنوعيه N-MOSFET وP-MOSFET وذلك بإخضاعها لتدفق نتروني يساوي2.89´10¹¹ cm^-2·sec^-1 داخل إحدى قنوات التشعيع في مفاعل منسر السوري، وبأزمنة تشعيع تتراوح بين (10 to 400) sec لاختبار مواصفات الترانزستور الكهربائية والإلكترونية ورصد التغيرات فيها قبل وبعد التشعيع وخاصة منحنيات الخواص المميزة I_DS-V_GS وكمون العتبة. بينت النتائج تغير في منحنيات الخواص الذي تَمثَّل بانزياح كمون العتبة عن قيمته الأساسية مع زيادة زمن التشعيع وصولاً إلى حالة انهيار الترانزستور عند زمن 400 sec. جرى ضمن هذا الإطار مقارنة مفصلة لتأثير الإشعاع على النوعين المدروسين.